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科學研究領域

CO2激光器之極深紫外光(EUV)的種子光源

來源:本站    發布時間:2014/12/8 14:05:32    點擊量:

極深紫外光(EUV)的種子光源

       通過究各種不同激光波長和被照射原材料的組合,最後發現CO2激光與錫液體微滴靶的組合具有最佳的轉換效率。因此,一套具有實際生產價值的EUV光源係統必須包括CO2激光器、錫液體微滴生成器、收集光路和碎屑過濾消除裝置等部分。

       為了製造集成度更高的電路,人們在積極尋找下一代光刻(NGL)光源。目前工業界確定的下一代光刻光源是波長為13.5nm的極端遠紫外(EUV)光源,它能夠把光刻技術擴展到32nm以下的特征尺寸,理論上可達22nm以下。
        盡管目前實驗型的EUV曝光光刻設備使用的是低功率輝光放電等離子體(DPP)光源,但是它不能夠滿足大規模量產的需求。而激光等離子體(LPP)光源由於其具備高功率輸出的優勢最有希望擔負起EUV光刻技術量產的大任。
        LPP光源產生EUV(波長:13.5nm)的原理在於用激光照射在包括氙、錫或鋰在內的原材料,通過激發可以得到高能電離等離子體。通過研究各種不同激光波長和被照射原材料的組合,最後發現CO2激光與錫液體微滴靶的組合具有最佳的轉換效率。因此,一套具有實際生產價值的EUV光源係統必須包括CO2激光器、錫液體微滴生成器、收集光路和碎屑過濾消除裝置等部分。


 

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